LED製造流程可區分為上游磊晶製造、中游晶粒製造、下游封裝測試以及系統組裝,最後成為各式各樣不同的終端產品,各階段製程敘述如下:
利用砷(As)、鎵 (Ga) 、磷 (P) 等Ⅲ - Ⅴ族化合物為材料的單晶片作為結晶成長用的基板,透過磊晶方式製作磊晶片。磊晶方法大致可分為液相磊晶法(Liquid Phase Epitaxy;LPE)、氣相磊晶法(Vapor Phase Epitaxy;VPE)、或金屬有機物化學氣相磊晶法(Metal Organic Chemical-Vapor Deposition ; MOCVD)等三種。
依據不同 LED 元件的需求,透過擴散、金屬膜蒸鍍、蝕刻、熱處理等製程進行 LED 磊晶片電極製作,接著將磊晶基板磨薄、拋光後,再切割、崩裂成單顆晶粒。
將晶粒黏著於導線架上,經過固晶、固化、打線、樹脂封膠、烘烤、切割、測試、包裝等製作流程,將晶粒封裝成各類型(如: Lamp、SMD、Display 等)的 LED 元件。 一、
電子安定器 LED 電源核心元件包括開關控制器、電感器、開關元器件(MOSfet)、反饋電阻、輸入濾波器件、輸出濾波器件等等。根據不同場合要求、還要有輸入過壓保護電路、輸入欠壓保護電路,LED 開路保護、過流保護等電路。
二、
IC LED 設計架構 本設計系一種具線性式 LED 串列群組驅動裝置之光源模組 。
三、
本設計無需使用變壓器、電感磁性元件、電解電容等環境有害物,本項發明是全球首創革命性新技術, 對杜絕環境污染有極大貢獻 。
利用砷(As)、鎵 (Ga) 、磷 (P) 等Ⅲ - Ⅴ族化合物為材料的單晶片作為結晶成長用的基板,透過磊晶方式製作磊晶片。磊晶方法大致可分為液相磊晶法(Liquid Phase Epitaxy;LPE)、氣相磊晶法(Vapor Phase Epitaxy;VPE)、或金屬有機物化學氣相磊晶法(Metal Organic Chemical-Vapor Deposition ; MOCVD)等三種。
依據不同 LED 元件的需求,透過擴散、金屬膜蒸鍍、蝕刻、熱處理等製程進行 LED 磊晶片電極製作,接著將磊晶基板磨薄、拋光後,再切割、崩裂成單顆晶粒。
將晶粒黏著於導線架上,經過固晶、固化、打線、樹脂封膠、烘烤、切割、測試、包裝等製作流程,將晶粒封裝成各類型(如: Lamp、SMD、Display 等)的 LED 元件。 一、
電子安定器 LED 電源核心元件包括開關控制器、電感器、開關元器件(MOSfet)、反饋電阻、輸入濾波器件、輸出濾波器件等等。根據不同場合要求、還要有輸入過壓保護電路、輸入欠壓保護電路,LED 開路保護、過流保護等電路。
二、
IC LED 設計架構 本設計系一種具線性式 LED 串列群組驅動裝置之光源模組 。
三、
本設計無需使用變壓器、電感磁性元件、電解電容等環境有害物,本項發明是全球首創革命性新技術, 對杜絕環境污染有極大貢獻 。